• STT结构涡轮增压MRAM
• 新兴MRAM市场的主要参与者之一已经开发了专有技术，该技术表示将通过增加保持力并同时降低电流来增强任何MRAM阵列的性能。自旋转移技术（STT）的进动自旋电流（PSC）结构，它有潜力提高MRAM的密度和零泄漏能力。该结构可以应用于移动，数据中心CPU和存储，汽车，物联网和（IoT）以及人工智能等领域。PSC结构将使任何MRAM器件的自旋扭矩效率提高40％至70％。这意味着它不仅具有更高的数据保留能力，而且将消耗更少的电量。Pinarbasi说，增益转化为保留时间延长了10,000倍以上，因此一小时变成一年以上，但是写入电流却减少了。此外，随着垂直磁隧道结（pMTJ）变小，PSC的效率更高。开...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,STT-MRAM,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-13 14:36:00

• 最大限度提高STT-MRAMIP的制造产量
• Everspin公司在磁存储器设计制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600多项有效专利和申请的知识产权，在平面和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。本篇文章everspin代理宇芯电子要介绍的是如何最大限度提高STT-MRAMIP的制造产量。铸造厂需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻，同时提高MTJ位单元的可靠性，以支持某些应用所需的大（1Mbit〜256Mbit）存储器阵列密度。尽管STT-MRAM技术具有足够的耐久性和读/写等待时间，但对工艺变化的敏感性可能会导致可靠性问题。MTJ...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,MRAM,Everspin,everspin代理 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-05 14:58:00

• 什么是STT-MRAM？
• 随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力.什么是STT-MRAM？嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM，相变存储器（PCM），电阻RAM（ReRAM）和铁电RAM（FRAM）。每种新兴的内存技术都不同，适合特定的应用，但STT-MRAM似乎已成为主流。STT-MRAM是一种电阻存储技术，其中材料中电子的磁性自旋变化会产生可测量的电阻率变化。从概念上讲，每个单元由两个磁体组成：一个是固定的，另一个是可以翻转的。当磁体...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,MRAM,everspin代理,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-04 17:31:00

• EverspinMRAM通过合作伙伴关系不断发展其生态系统
• Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有600多项有效专利和申请的知识产权，在平面和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。Everspin代理宇芯电子为客户提供应用解决方案等技术支持。Everspin与GlobalFoundries有合作的历史，并且通过不断地调整配方，在工厂中进行微调制造已有十多年了。能够迅速增加知识并将其转移到GlobalFoundries。在生产中有两种类型的MRAM-触发MRAM和STTMRAM，后者确实需要启用控制器或FPGA。Everspin将继续发展生态...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,Everspin MRAM,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-31 15:03:00

• ISI的晶圆级MRAM测试仪
• MRAM正在开发支持人工智能、物联网和先进网络技术的下一代嵌入式设备；在数据中心、边缘和端点。此外独立MRAM已经成为许多应用的重要非易失性缓存和缓冲区。为所有这些应用提供MRAM需要在生产环境中进行良好的MTJ设计和测试。Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的，为汽车、工业和军事。云存储等行业等提供了大量可靠优质的MRAM，STT-MRAM存储芯片。Everspin一级代理商接下来介绍EverspinMRAM器件的测试。ISI在MTJ器件的设计和工厂测试方面拥有长期经验，能够满足MRAM的开发和生产测试需求。他们也在创造新的测试和生产工...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM测试仪,STT-MRAM,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-17 14:08:00

• 当前MRAM市场以及专用MRAM设备测试的重要性
• Everspin专注于制造MRAM和STT-MRAM的翘楚，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。为云存储，能源，工业，汽车和运输市场提供了上亿只MRAM和STT-MRAM存储器芯片。Everspin总代理宇芯电子可提供技术支持和产品解决方案。MRAM可能是当今最有前途的下一代非易失性存储技术。ToggleMRAM和STT-MRAM已经进入市场，在许多应用中获得了市场份额。下一代MRAM技术（例如SOT-MRAM）甚至可以以更高的密度替换最快的SRAM应用。图1内存制造过程由于器件架构相对复杂，因此EverspinMRAM的生产过程分为多个阶段，在CMOS背板的顶部...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM技术,STT-MRAM,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-13 11:34:00

• 新型存储器与传统存储器介质特性对比
• 目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3DXpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器ReRAM，目前暂无商用产品，其代表公司是美国的Crossbar。上述新型存储器已被研究了近数十年，只是相对于早已产业化的随机存储sram、DRAM存储器、和NANDFlash，还未能大规模商用。存储器产业未来的技术发展方向仍是未知数。在非易失性MRAM存储器方面，EverspinMRAM已经有产品应用于航空航天等特定领域，并于2019年开始与格芯合作，试生产28nm制程的1GbST-MRAM产品。...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： MRAM,Everspin,Everspin MRAM,Everspin STT-MRAM 1Gb 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-24 16:21:00

• 到2029年MRAM收入将增长170倍
• 一份新市场报告预计，从2018年到2029年，独立MRAM和STT-MRAM的收入将增长170倍，达到近40亿美元的收入。下一代内存技术的增长将主要由取代效率较低的内存技术（例如NOR闪存和SRAM）推动。MRAM容量出货量预测（2017-2029，Coughlin）分析人士预计，包括DRAM，3DXpoint和NAND在内的许多存储技术将在未来几年内增长，但增长最快的将是MRAM存储器。容量方面的出货量预计将从2019年的约0.1PB增长到2029年的近100PB。对MRAM存储器的巨大需求将刺激设备支出的稳步增长。预计MRAM设备市场将从2018年的2600万美元增长到2029年的854...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,STT-MRAM,MRAM市场 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-16 16:08:00

• STT-MRAM存在的两个弊端
• 随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来，一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流，增加热稳定性；另一方面Sony、Hitachi、Renesas、Crocus、Toshiba、Samsung、Hynix、IBM等多家公司也在积极研发STT-MRAM。早期的磁隧道结采用面内磁各向异性（In-PlaneMagneticAnisotropy）。它存在如下两个弊端：1）随着工艺减小，热稳定性恶化。采用面内磁各向异性磁隧道结的存储寿命取决于热稳定性势垒和磁各向异性场，面内磁各向异性的来源是薄膜平面较大的...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,EVERSPIN,MRMA,MRAM技术 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-15 14:49:00

• 企业SSD中everspin的DDR3STT-MRAM
• 随着企业固态驱动器（SSD）在系统性能和更小的外形尺寸方面不断前进，SSD解决方案提供商面临着更大的挑战。在提高密度及耐用性，性能和添加重要的新功能的同时，还需要继续保护飞行中的数据免受电源故障的影响。通过使用更多具有更快接口速度的闪存通道和更高密度的闪存设备，下一代SSD将迅速增长到32TB甚至更高。如果采用具有DRAM工作存储器的控制器的传统体系结构，这将大大增加对能量存储以提供电源故障保护的需求，从而以固定的形式减少存储阵列的可用空间。这些下一代设备还将需要新功能，包括高级CMB缓冲，在线加密，重复数据删除和压缩。使用everspin自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）和...
• 所属专栏： 技术交流 标签： DDR3 STT-MRAM,everspin,STT-MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-13 14:15:00